图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SP(U,D)04N60S5 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5.5V @ 200µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22.9nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 580pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A |
| RDS -于 | 950@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 55 ns |
| 典型上升时间 | 30 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 典型下降时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5.5V @ 200µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 580pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22.9nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SPD04N60S5INCT |
| 工厂包装数量 | 1 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| 零件号别名 | SP000313946 SPD04N60S5BTMA1 |
| 下降时间 | 15 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | xPD04N60 |
| RDS（ON） | 950 mOhms |
| 功率耗散 | 50 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 30 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 950 mOhms |
| 身高 | 2.3 mm |
| Pd - Power Dissipation | 50 W |
| 技术 | Si |
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